Каганович Э Б, Манойлов Э Г, Свечников С В, Фотоэлектрические свойства структур на основе нанокристаллического кремния, Препринт (К., ИФП, 1999)
Евтух А А, Каганович Э Б, Манойлов Э Г, Семененко Н А, Механизм токопрохождения в электролюминесцентных структурах пористый кремний/монокристалличекий кремний, ФТП 40, 180 (2006)
Форш П А, Мартышов М Н, Тимошенко В Ю, Кашкаров П К, Динамическая электропроводность анизотропно наноструктурированного кремния, ФТП 40, 476 (2006)
Yarkin D G, Balagurov L A, Bayliss S C, Zvyagin I P, Charge carrier transport in thermally oxidized metal/PS/p-Si and metal/PS/n-Si structures, Semicond Sci Technol 19, 100 (2004)
Tretyak O V, Skryshevsky V A, Vikulov V A, Boyko Yu V, Zinchuk V M, Surface electronic states in metal-porous silicon-silicon structures, TSF 445, 144 (2003)
Mathur R G, Vivechana, Mehra R M, Mathur P C, Jain V K, Electron transport in porous silicon, TSF 312, 254 (1998)
Diligenti A, Nannini A, Pennelli G, Pieri F, Current transport in free-standing porous silicon, APL 68, 687 (1996)
Simons A J, Cox T I, Uren M J, Calcott P D J, The electrical properties of porous silicon produced from n+ silicon substrates, TSF 255, 12 (1995)
Vakulenko O V, Kondratenko S V, Photovoltage and photocurrent spectroscopy of luminescent porous silicon, SPQEO 6, 192 (2003)
Аверкиев Н С и др, Переходный фототок и фотолюминесценция в пористом кремнии, ФТП 37, 1244 (2003)
Аверкиев Н С, Казакова Л П, Смирнова Н Н, Перенос носителей заряда в пористом кремнии, ФТП 36, 355 (2002)
Brodovoy O V, Skryshevsky V A, Brodovoy V A, Recombination properties of electronic states in porous silicon, Solid State Electronics 46, 83 (2002)
Timoshenko V Yu, Duzhko V, Dittrich Th, Diffusion photovoltage in porous semiconductors and dielectrics, PSSA 182, 227 (2000)
Draghici M, Miu M, Iancu V, Nassiopoulou A, Kleps I, Angelescu A, Ciurea M L, Oxidation-induced modifications of trap parameters in nanocrystalline porous silicon, PSSA 182, 239 (2000)
Горячев Д Н, Полисский Г, Срессели О М, Механизмы переноса и инжекции носителей в пористый кремний при его электролюминесценции в электролитах, ФТП 34, 227 (2000)
Беляков Л В, Горячев Д Н, Сресели О М, Фотоответ и электролюминесценция структур кремний - пористый кремний - химически осажденный металл, ФТП 34, 1386 (2000)
Kozlowski F, Steiner P, Lang W, A model for the electroluminescence of porous n-silicon, J Lumin 57, 163 (1993)
Lang W, Steiner P, Kozlowski F, Sandmaier H, Porous silicon light-emitting p-n junction, J Lumin 57, 169 (1993)
Ng C Y, Chen T P, Lau H W, Liu Y, Tse M S, Tan O K, Visualizing charge transport in silicon nanocrystals embedded in SiO2 films with electrostatic force microscopy, APL 85, 2941 (2004)
Krishnan R, Xie Q, Kulik J, Wang X D, Lu S, Molinari M, Gao Y, Krauss T D, Fauchet P M, Effect of oxidation on charge localization and transport in a single layer of silicon nanocrystals, JAP 96, 654 (2004)
Cooke D G, MacDonald A N, Hryciw A, Wang J, Li Q, Meldrum A, Hegmann F A, Transient terahertz conductivity in photoexcited silicon nanocrystal films, PRB 73, 193311 (2006)
Ефремов М Д и др, Кулоновское блокирование проводимости пленок SiOx при одноэлектронной зарядке кремниевой квантовой точки в составе цепочки электронных состояний, ФТП 39, 945 (2005)
Ioannou-Sougleridis V, Nassiopoulou A G, Travlos A, Effect of high temperature annealing on the charge trapping characteristics of silicon nanocrystals embedded within SiO2, Nanotechnology 14, 1174 (2003)
Burr T A, Seraphin A A, Werwa E, Kolenbrander K D, Carrier transport in thin films of silicon nanoparticles, PRB 56, 4818 (1997)
Shen Z, Kortshagen U, Campbell S A, Electrical characterization of amorphous silicon nanoparticles, JAP 96, 2204 (2004)
Yu Z, Aceves M, Carrillo J, Flores F, Single electron charging in Si nanocrystals embedded in silicon-rich oxide, Nanotechnology 14, 959 (2003)
Qin G G, Chen Y, Ran G Z, Zhang B R, Wang S H, Qin G, Ma Z C, Zong W H, Ren S F, Electroluminescence from Au/(SiO2/Si/SiO2) nanometer double barrier/p-Si structures and its mechanism, JPC 13, 11751 (2001)